產品介紹
超高真空磁控濺射系統相對于傳統的磁控濺射系統本底真空更好，成膜質量更高；并且系統可以與超高真空互聯系統進行對接；可用于納米級的單層及多層功能膜-各種金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等的生長。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。
主要技術參數：
1）襯底尺寸：10mm*10mm、2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸
2）襯底加熱溫度室溫至1000℃，控溫精度±0.1℃，旋轉速率0-30rpm，靶基距可調范圍100mm
3）集成多個靶槍實現共濺射或直濺射可選，標準靶或強磁靶可選，滿足單層和多層薄膜沉積應用
4）沉積均勻性優于±5%@4英寸(100mm)襯底
5）射頻，直流，脈沖直流和HIPMS等電源可選
6）射本底真空：高真空（10-8Torr量級）或超高真空（10-10Torr量級）可選
7）QCM膜厚在線監控
