產品介紹
脈沖激光沉積，是一種利用激光高能量脈沖輻射沖擊固體靶時，激光與物質之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉移，及最后物質沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。
PLD非常適合生長多元氧化物的多層膜和異質膜，輕松實現對化學成分較復雜的復合物材料進行材料生長。在生長過程中還可以實現引入活性或惰性及混合氣等工藝氣體，以提高薄膜生長品質。
主要技術參數：
1）襯底尺寸：10mm*10mm（旗型樣品托）、2英寸
2）襯底加熱溫度室溫至850℃（選用激光加熱可達1200℃），控溫精度±0.1℃，旋轉速率0-20rpm
3）靶臺形式：公轉自轉式或掃描式靶臺可選,防交叉污染擋板設計
4）可以實現原位的更換靶材
5）集成3-4路MFC氣路穩壓系統，可進行反應沉積，穩壓上控法與下控法可選
6）沉積腔室本底真空：高真空（10-8Torr量級）或超高真空（10-10Torr量級）可選
6）RHEED在線表征可選
