產品介紹
分子束外延（MBE）是一種外延制膜方法， 也是一種特殊的超高真空條件下薄膜生長工藝。外延是一種制備單晶薄膜的新技術， 它是在適當的襯底與合適的條件下， 沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。
MBE的優點是： 膜層生長速率慢（ 每秒單原子層） ， 束流強度易于精確控制， 膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調整。用這種技術已能制備薄到原子層級別的單晶薄膜， 以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結構材料。
主要技術參數：
1、適用于III / V族， II / VI族材料外延生長
2、襯底尺寸：10mm*10mm（旗形樣品托）、2英寸、3英寸、4英寸
3、樣品臺：四軸（XYZ和旋轉）以及五軸高低溫樣品臺@10mm*10mm（旗型樣品托）
4、樣品臺：加熱、冷卻（液氮）可選
5、襯底加熱溫度室溫至1200℃，控溫精度±0.1℃。液氮低溫可優于100K。旋轉速率0-30rpm
6、RHEED原位表征，BFM（Beam Flux Monitor）和QCM膜厚在線監控可選
Smart-200
Mini MBE
Smart-100
標準旗型樣品托
系統極限真空： 10-10 Torr數量級
進樣室（帶儲存）+ 外延生長室
束源法蘭：底部4*CF35,側面4*CF35
標準旗型樣品托
系統極限真空：10-10 Torr數量級
進樣室（帶儲存）+ 外延生長室
束源法蘭：底部4*CF35，2*CF63,側面3*CF35
4英寸及以下襯底的生長
最大束源個數：12
可集成束源種類：K-CELL、E-BM、CRACKER、PLASMA CELL等
生長本底真空：超高真空10-11 Torr或10-10 Torr量級可選
全自動或半自動或手動控制模式可選
MBE-C
根據用戶目前的系統定制MBE，可與STM、ARPES、XPS等表征設備進行對接
